| 主权项 |
一种光阻图案之形成方法，系包括有：在半导体晶片或配线基板的配线图案上，形成感应第1感应波长区域之波长的光之第1光硬化性光阻膜的步骤；在该第1光硬化性光阻膜的上侧，形成阻隔第1感应波长区域之波长的光且感应第2感应波长区域之波长的光之第2光硬化性光阻膜的步骤；将含有第2感应波长区域之波长的光之雷射，对要成为第2光硬化性光阻膜之遮罩图案的区域，施行扫描并曝光的步骤；以不会使第1光硬化性光阻膜显影的显影液，对该第2光硬化性光阻膜施行显影，形成遮罩图案的步骤；利用该第1感应波长区域之波长的光，以该遮罩图案为遮罩，对该第1光硬化性光阻膜施行图案曝光的步骤；以及对该第1光硬化性光阻膜施行显影，而在该已形成半导体晶片或电路图案的基板上，形成光阻图案的步骤。如申请专利范围第1项之光阻图案之形成方法，其中，当在该第1光硬化性光阻膜的上侧，形成第2光硬化性光阻膜之际，隔着第1感应波长区域之波长的光会穿透的覆盖膜，形成该第2光硬化性光阻膜；并在对第1光硬化性光阻膜施行显影的步骤中，最先藉由将该覆盖膜剥离而将遮罩图案去除。如申请专利范围第1项之光阻图案之形成方法，其中，当在该第1光硬化性光阻膜的上侧形成第2光硬化性光阻膜之际，隔着第1感应波长区域之波长的光会穿透的覆盖膜，形成该第2光硬化性光阻膜；并在对第1光硬化性光阻膜施行显影的步骤中，藉由将覆盖膜剥离而将遮罩图案去除，同时亦将第1光硬化性光阻膜的非曝光部分去除。如申请专利范围第2项之光阻图案之形成方法，其中，使该覆盖膜与第1光硬化性光阻膜积层的积层体设置于该配线图案上之后，再于该覆盖膜上形成第2光硬化性光阻膜。如申请专利范围第3项之光阻图案之形成方法，其中，使该覆盖膜与第1光硬化性光阻膜积层的积层体设置于该配线图案上之后，再于该覆盖膜上形成第2光硬化性光阻膜。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，当将含有第2感应波长区域之波长的光之雷射，对要成为遮罩图案的区域施行扫描，并对成为该第2光硬化性光阻膜之遮罩图案的区域施行曝光之际，经预先对各配线图案施行位移校正之后，对含有第2感应波长区域之波长光的雷射施行扫描，而在各配线图案上形成遮罩图案。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，第1光硬化性光阻膜系使用具有紫外线感光性的材料，并利用紫外线对该第1光硬化性光阻膜施行曝光，第2光硬化性光阻膜系使用具可见光感光性的材料，并利用可见光雷射对该第2光硬化性光阻膜施行曝光。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，第2光硬化性光阻膜系至少含有氧化钛微粒子、碳酸钙微粒子、及氧化锌微粒子中之1种。如申请专利范围第8项之光阻图案之形成方法，其中，氧化钛微粒子、碳酸钙微粒子、及氧化锌微粒子中之至少1种，具有平均粒径0.01 μm至0.05 μm。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，第2光硬化性光阻膜系使用可水显影的材料；第2显影液系使用水。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，第1光硬化性光阻膜系防焊膜。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，第1光硬化性光阻膜系防镀膜。如申请专利范围第1至5项中任一项之光阻图案之形成方法，其中，第1光硬化性光阻膜系防蚀膜。 |
