发明名称 电能元件、隔离层及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.01
申请号 TW096114129 申请日期 2007.04.20
申请人 辉能科技股份有限公司 新北市五股区五工路127号4楼;明瑜创新股份有限公司 台北市北投区荣华一路5巷9号2楼 发明人 杨思柟
分类号 H01M2/14 主分类号 H01M2/14
代理机构 代理人 刘正格 台北市中正区忠孝西路1段6号18楼
主权项 一种隔离层制造方法,系用于制造一隔离层,该制造方法包含下列步骤:混合一第一材料及一第二材料;固化该第一材料及该第二材料,其步骤包含去除该第一材料及该第二材料中的至少一溶剂以及高温环化该第一材料及该第二材料;利用硷液蚀刻方式移除该第一材料以形成一隔离本体,其中该隔离本体系于被移除之该第一材料处形成有复数个蚁孔;以及形成一第一隔离膜于该隔离本体之一侧。如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包含一步骤:形成一第二隔离膜于该隔离本体之另一侧,其中该隔离本体系夹设于该第一隔离膜与该第二隔离膜之间。如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该第一隔离膜与该第二隔离膜系同时形成于该隔离本体之两侧。如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该第一隔离膜与该第二隔离膜之形成方式系为一涂布法或一浸涂法。如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该涂布法系为单面涂布法或双面涂布法。如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该第一隔离膜及该第二隔离膜的材料系为一混合物,该混合物系至少包含一陶瓷材料及一高分子聚合物。如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该混合物中该陶瓷材料占20%以上。如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该高分子聚合物系为聚亚醯胺、偏氟乙烯或偏氟乙烯之共聚物和衍生物或混合物。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一材料较该第二材料更易被一硷液攻击。如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第一材料及该第二材料系为一化学聚合物,且该第一材料之亲硷基的数量系大于该第二材料之亲硷基的数量。如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该化学聚合物系为聚亚醯胺之一前驱聚合物。如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该前驱聚合物系为聚醯胺酸以及其他同类型衍生物。一种隔离层,包含:一隔离本体,系经由一第一材料及一第二材料混合固化,并经一硷液蚀刻制程以移除该第一材料而形成,其中该隔离本体系于被移除之该第一材料处形成有复数个蚁孔;以及一第一隔离膜,系设置于该隔离本体之一侧,其中该第一材料及该第二材料混合后,经过去除该第一材料及该第二材料中的至少一溶剂及高温环化以形成固化之该第一材料及该第二材料。如申请专利范围第13项所述之隔离层,更包含:一第二隔离膜,系设置于该隔离本体之另一侧,其中该隔离本体系夹设于该第一隔离膜与该第二隔离膜之间。如申请专利范围第14项所述之隔离层,其中该第一隔离膜及该第二隔离膜的材料系为一混合物,该混合物系至少包含一陶瓷材料及一高分子聚合物。如申请专利范围第15项所述之隔离层,其中该混合物中该陶瓷材料占20%以上。如申请专利范围第15项所述之隔离层,其中该高分子聚合物系为聚亚醯胺、偏氟乙烯或偏氟乙烯之共聚物和衍生物或混合物。如申请专利范围第13项所述之隔离层,其中该第一材料较该第二材料更易被一硷液攻击。如申请专利范围第18项所述之隔离层,其中该第一材料及该第二材料系为一化学聚合物,且该第一材料之亲硷基的数量系大于该第二材料之亲硷基的数量。如申请专利范围第19项所述之隔离层,其中该化学聚合物系为聚亚醯胺之一前驱聚合物。如申请专利范围第20项所述之隔离层,其中该前驱聚合物系为聚醯胺酸以及其他同类型衍生物。一种电能元件,包含:一隔离层,系包含:一隔离本体,系经由一第一材料及一第二材料混合固化,并经一硷液蚀刻制程以移除该第一材料而形成,其中该隔离本体系于被移除之该第一材料处形成有复数个蚁孔,以及一第一隔离膜,系设置于该隔离本体之一侧;一第一集电层,系设置于该隔离层之一侧;一第二集电层,系设置于该隔离层之另一侧;一第一活性材料层,系夹置于该隔离层与该第一集电层之间;一第二活性材料层,系夹置于该隔离层与该第二集电层之间;以及一封装单元,系密封该隔离层、该第一集电层、该第二集电层、该第一活性材料层及该第二活性材料层所形成之结构,其中该第一材料及该第二材料混合后,经过去除该第一材料及该第二材料中的至少一溶剂及高温环化以形成固化之该第一材料及该第二材料。如申请专利范围第22项所述之电能元件,其中该隔离层更包含一第二隔离膜,系设置于该隔离本体之另一侧,其中该隔离本体系夹设于该第一隔离膜与该第二隔离膜之间。如申请专利范围第23项所述之电能元件,其中该隔离层之该第一隔离膜及该第二隔离膜的材料系为一混合物,该混合物系至少包含一陶瓷材料及一高分子聚合物。如申请专利范围第24项所述之电能元件,其中该混合物中该陶瓷材料占20%以上。如申请专利范围第24项所述之电能元件,其中该高分子聚合物系为聚亚醯胺、偏氟乙烯或偏氟乙烯之共聚物和衍生物或混合物。如申请专利范围第22项所述之电能元件,其中该隔离层之该第一材料较该第二材料更易被一硷液攻击。如申请专利范围第27项所述之电能元件,其中该第一材料及该第二材料系为一化学聚合物,且该第一材料之亲硷基的数量系大于该第二材料之亲硷基的数量。如申请专利范围第28项所述之电能元件,其中该化学聚合物系聚亚醯胺之一前驱聚合物。如申请专利范围第29项所述之电能元件,其中该前驱聚合物系为聚醯胺酸以及其他同类型衍生物。如申请专利范围第22项所述之电能元件,其中该电能元件系为一电能供应元件。如申请专利范围第31项所述之电能元件,其中该电能供应元件系为一电池元件。
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