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一种用于抛光铟锡氧化物(ITO)表面之化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含分散于一具有不大于5之pH值之含水载剂中之微粒氧化锆研磨剂，该研磨剂具有不大于150 nm之粒度及在40 m2/g至220 m2/g之范围内的表面面积。如请求项1之CMP组合物，其中该研磨剂系以在0.1至10重量%之范围内的量存在于该组合物中。一种用于抛光包含铟锡氧化物(ITO)表面之基板之化学机械抛光(CMP)方法，该方法包含以下步骤：(a)使该ITO表面与一抛光垫及如请求项1之CMP组合物接触，及(b)导致该抛光垫与该ITO表面之间相对运动，同时保持一部分该CMP组合物与在该垫与该基板之间的该ITO表面接触，历时一足够时段以自该表面磨去至少一部分该ITO。一种用于抛光一铟锡氧化物(ITO)表面之化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含分散于一具有不大于5之pH值之含水载剂中之微粒氧化锆研磨剂，该研磨剂具有不大于150 nm之粒度及在40 m2/g至75 m2/g之范围内的表面面积。如请求项4之CMP组合物，其中该研磨剂系以在0.1至10重量%之范围内的量存在于该组合物中。一种用于抛光包含铟锡氧化物(ITO)表面之基板之化学机械抛光(CMP)方法，该方法包含以下步骤：(a)使该ITO表面与一抛光垫及如请求项4之CMP组合物接触，及(b)导致该抛光垫与该ITO表面之间相对运动，同时保持一部分该CMP组合物与在该垫与该基板之间的该ITO表面接触，历时一足够时段以自该表面磨去至少一部分该ITO。 |
