发明名称 减少基板线路层之晶片封装构造及其晶片载体
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.01
申请号 TW096102754 申请日期 2007.01.24
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 林鸿村;杜武昌;吴政庭
分类号 H01L23/492 主分类号 H01L23/492
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;洪荣宗 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种晶片封装构造,包含:一基板,其系具有一上表面与一下表面,其中该上表面系设有至少一第一接指与至少一第二接指并定义有一黏晶区;一黏晶层,其系形成于该基板之该上表面之黏晶区内;一晶片,其系黏接于该黏晶层,以设置于该基板之该上表面;至少一跳接焊线,其系连接该第一接指与该第二接指;以及复数个电连接元件,其系电性连接该晶片至该基板;其中,该跳接焊线之至少一部位系密封于该黏晶层内。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该第一接指系位于该黏晶区之外,该第二接指系位于该黏晶区之内,并且该跳接焊线系具有一结球端与一线尾端,该结球端系焊设于该第一接指,该线尾端系焊设于该第二接指。如申请专利范围第1或2项所述之晶片封装构造,其中该基板更具有一接地环,其系形成在该上表面且在该第一接指与该第二接指之间。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该第一接指与该第二接指系皆位于该黏晶区之内。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该第一接指与该第二接指系皆位于该黏晶区之外。如申请专利范围第1、4或5项所述之晶片封装构造,其中该基板更具有至少一电路走线,其系形成在该上表面且在该第一接指与该第二接指之间。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,另包含一封胶体,其系形成于该基板之上表面,以密封该晶片与该些电连接元件。如申请专利范围第7项所述之晶片封装构造,其中该封胶体更密封该跳接焊线于该黏晶层之外的其余部位。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该黏晶层系为内含有等球径间隔球之树脂材料。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,另包含复数个外接端子,其系设置于该基板之该下表面。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该些电连接元件系为打线形成之复数个焊线。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该基板系为多层印刷电路板。如申请专利范围第1项所述之晶片封装构造,其中该跳接焊线之弧高系不超过该晶片。一种晶片封装构造之晶片载体,包含:一基板,其系具有一上表面与一下表面,其中该上表面系设有至少一第一接指与至少一第二接指并定义有一黏晶区;一黏晶层,其系形成于该基板之该上表面之黏晶区内;以及至少一跳接焊线,其系连接该第一接指与该第二接指;其中,该跳接焊线之至少一部位系密封于该黏晶层内。如申请专利范围第14项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该第一接指系位于该黏晶区之外,该第二接指系位于该黏晶区之内,并且该跳接焊线系具有一结球端与一线尾端,该结球端系焊设于该第一接指,该线尾端系焊设于该第二接指。如申请专利范围第14或15项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该基板更具有一接地环,其系形成在该上表面且在该第一接指与该第二接指之间。如申请专利范围第14项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该第一接指与该第二接指系皆位于该黏晶区之内。如申请专利范围第14项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该第一接指与该第二接指系皆位于该黏晶区之外。如申请专利范围第14、17或18项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该基板更具有至少一电路走线,其系形成在该上表面且在该第一接指与该第二接指之间。如申请专利范围第14项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该黏晶层系为内含有等球径间隔球之树脂材料。如申请专利范围第14项所述之晶片封装构造之晶片载体,其中该基板系为多层印刷电路板。
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