| 主权项 |
一种磁性随机存取记忆体(MRAM)元件，其包括：一磁性记忆体晶胞阵列，将资料储存为不同的阻抗值；一位元及字元线格，用于选择性地存取位在磁性记忆体晶胞阵列中的资料；以及复数之对应的电阻器，每一电阻器系串联地与复数个磁性记忆体晶胞及位元与字元线配置；其中对应的电阻器系使对选定的该等磁性记忆体晶胞局部化加热，其有助于其之切换；其中该对应的电阻器之每一者具有一邻接至对应的该位元线的顶部宽度及一邻接至对应的磁性记忆体晶胞的底部宽度，且其中该等个别对应的电阻器之该顶部宽度及底部宽度之至少一者小于该磁性记忆体晶胞之宽度。如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该等对应的电阻器系使热传导路径经修改，以减少选定之该等磁性记忆体晶胞散热至位元及字元线格。如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该等对应的电阻器系使导电性经修改，以使电阻加热选定之该等磁性记忆体晶胞。如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该等对应的电阻器包括复数之中间夹层，每一中间夹层系与具有该等磁性记忆体晶胞之其中一个别晶胞的一线连接，每一中间夹层具有一连接面，其具有一系为导电的周长部分，以及一隔热的中心部分，以针对来自于记忆体晶胞的热传导构成隔层，从而使晶胞状态切换容易化。如申请专利范围第4项之磁性随机存取记忆体元件，其中该传导性周长部分的横截面积小于记忆体晶胞之横截面积。如申请专利范围第4项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该导电性周长部分包括一窄的传导性材料脊状件，经由该脊状件与记忆体晶胞建立电连接。如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该等对应的电阻器包括复数之中间夹层，每一中间夹层系与具有该等磁性记忆体晶胞之其中一个别晶胞的一线连接，每一中间夹层具有一连接面，其具有一系为隔热的周长部分，以及一导电的中心部分，以针对来自于记忆体晶胞的热传导构成隔层，从而使晶胞状态切换容易化。如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该等对应的电阻器包括复数之中间夹层，每一中间夹层系与具有该等磁性记忆体晶胞之其中一个别晶胞的一线连接，每一中间夹层具有一使用一隔热材料的连接面，俾便针对来自于记忆体晶胞的热传导构成隔层，从而使晶胞状态切换容易化。如申请专利范围第1项之磁性随机存取记忆体元件，其中：该等对应的电阻器系构成为位在该位元及字元线格中该等线之减小的横截面积。一种制造磁性随机存取记忆体元件的方法，该元件包括复数个记忆体晶胞及字元与位元线格，以及将字元与位元线和该等之个别的记忆体晶胞连接的中间夹层，该方法包括以下步骤：使用一等向性蚀刻制程，将每一中间夹层之一连接面蚀刻成一凹部，因此仍存在一脊状件，经由该脊状件建立一窄的连接。 |
