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发明名称 Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherelement und Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Halbleiterspeicherelements
摘要
申请公布号 DE102007006279(B4) 申请公布日期 2011.04.28
申请号 DE200710006279 申请日期 2007.01.31
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 MO, HYUN SUN;KIM, HO JUNG
分类号 G11C16/12;G11C16/04 主分类号 G11C16/12
代理机构 代理人
主权项
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