A METHOD TO INCREASE YIELD AND REDUCE DOWN TIME IN SEMICONDUCTOR FABRICATION UNITS BY PRECONDITIONING COMPONENTS USING SUB-APERTURE REACTIVE ATOM ETCH,申请号KR20117000353-传众专利搜索

发明名称	A METHOD TO INCREASE YIELD AND REDUCE DOWN TIME IN SEMICONDUCTOR FABRICATION UNITS BY PRECONDITIONING COMPONENTS USING SUB-APERTURE REACTIVE ATOM ETCH
摘要
申请公布号	KR20110044195(A)	申请公布日期	2011.04.28
申请号	KR20117000353	申请日期	2009.06.02
申请人	POCO GRAPHITE, INC.	发明人	HAMBEK WAYNE
分类号	H01L21/302;H01L21/3065	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
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