| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH458299(A) |
申请公布日期 |
1968.06.30 |
| 申请号 |
CH19640002212 |
申请日期 |
1964.02.24 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SIRTL,ERHARD,DR. |
| 分类号 |
C23C16/02;H01L21/00;(IPC1-7):B01J17/32 |
主分类号 |
C23C16/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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