发明名称 |
利用脉冲激光烧蚀制备Si纳米线的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种利用脉冲激光烧蚀(PLA)制备Si纳米线的方法,属于硅纳米材料制备领域。该方法采用自行设计的PLA系统,通过选择合适的含硅靶材,调节靶材-基底距离、缓冲气体压力,在Si(100)衬底上沉积硅纳米线。当沉积距离控制在5-20cm,缓冲气体压力控制在100~1000torr范围,辅助合适的沉积时间和激光能量,可在硅单晶衬底上收集到大量的不同形状和尺寸的Si纳米材料。特别地,本发明提供了一种能够在常压下合成Si纳米线的方法,使Si纳米线的合成更加简单。同时,本发明也提供了一种能够合成链状Si纳米线的方法。另外,采用本发明制备的硅纳米线具有很好的光致发光特征。 |
申请公布号 |
CN102030328A |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN200910235206.1 |
申请日期 |
2009.09.27 |
申请人 |
北京有色金属研究总院 |
发明人 |
陈兴;王磊;杜军;屠海令 |
分类号 |
C01B33/021(2006.01)I;C01B33/023(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
程凤儒 |
主权项 |
一种利用脉冲激光烧蚀制备Si纳米线的方法,该方法包括以下步骤:(1)选择含硅材料,压制成靶,作为硅源;(2)以单晶硅片作为衬底材料,采用标准的RCA硅片清洗工艺对衬底材料进行清洗;(3)将靶和衬底材料置于脉冲激光器沉积设备中,抽真空至真空度为10Pa,然后通入高纯Ar或He气使环境气压为100~1000torr,将靶加热至1000~1300℃;(4)采用脉冲激光烧蚀靶,在衬底材料上收集硅纳米线。 |
地址 |
100088 北京市新街口外大街2号 |