发明名称 |
微影-微影-蚀刻双图案化方法 |
摘要 |
本发明提供微影-微影-蚀刻双图案化方法。上述微影-微影-蚀刻双图案化方法是通过使用硅烷化固定反应,其包括:提供一基底具有一第一光致抗蚀剂层于其上,实施一第一微影工艺以产出第一图案化结构于该基底上,实施一硅烷化固定反应于该第一图案化结构,形成一第二光致抗蚀剂层覆盖该基底,以及实施一第二微影工艺以产出第二图案化结构于该基底上,其中该第一图案化构造和该第二图案化构造彼此之间交错设置。 |
申请公布号 |
CN102033432A |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN200910212020.4 |
申请日期 |
2009.11.06 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
王逸铭;黄沛霖;曾盈崇 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;邢雪红 |
主权项 |
一种微影‑微影‑蚀刻双图案化方法,使用硅烷化固定反应,包括:提供一基底具有一第一光致抗蚀剂层于其上;实施一第一微影工艺以产出第一图案化结构于该基底上;将一光产酸与一硅烷化试剂发生反应,以固定该第一图案化结构;形成一第二光致抗蚀剂层覆盖该基底;以及实施一第二微影工艺以产出第二图案化结构于该基底上。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |