发明名称 微影-微影-蚀刻双图案化方法
摘要 本发明提供微影-微影-蚀刻双图案化方法。上述微影-微影-蚀刻双图案化方法是通过使用硅烷化固定反应,其包括:提供一基底具有一第一光致抗蚀剂层于其上,实施一第一微影工艺以产出第一图案化结构于该基底上,实施一硅烷化固定反应于该第一图案化结构,形成一第二光致抗蚀剂层覆盖该基底,以及实施一第二微影工艺以产出第二图案化结构于该基底上,其中该第一图案化构造和该第二图案化构造彼此之间交错设置。
申请公布号 CN102033432A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN200910212020.4 申请日期 2009.11.06
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 王逸铭;黄沛霖;曾盈崇
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;邢雪红
主权项 一种微影‑微影‑蚀刻双图案化方法,使用硅烷化固定反应,包括:提供一基底具有一第一光致抗蚀剂层于其上;实施一第一微影工艺以产出第一图案化结构于该基底上;将一光产酸与一硅烷化试剂发生反应,以固定该第一图案化结构;形成一第二光致抗蚀剂层覆盖该基底;以及实施一第二微影工艺以产出第二图案化结构于该基底上。
地址 中国台湾桃园县