| 发明名称 | 半导体装置、电力电路及半导体装置的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括：衬底上的第一导电层；覆盖第一导电层的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的不与第一导电层重叠的区域中的第二导电层；覆盖氧化物半导体层及第二导电层的绝缘层；绝缘层上的包括至少不与第一导电层及第二导电层重叠的区域的区域中的第三导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102034869A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010293477.5 | 申请日期 | 2010.09.19 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;高桥圭;伊藤良明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：衬底上的第一导电层；所述第一导电层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的不与所述第一导电层重叠的第二导电层；所述氧化物半导体层及所述第二导电层上的绝缘层；以及所述绝缘层上的至少包括既不重叠于所述第一导电层也不重叠于所述第二导电层的第一部分的第三导电层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||