| 发明名称 | 光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。保护层形成用组合物包含硅氧烷系聚合物和有机溶剂。光半导体元件的制造方法包含以下工序：向在基板(1)上形成的半导体层(2)、(3)的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层(4)的工序；从保护层(4)的上方照射激光，形成分离沟槽(6)的工序；以及除去在形成分离沟槽(6)时生成的附着物的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102034908A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010502435.8 | 申请日期 | 2010.09.29 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 野边洋平;加藤仁史;小林薰平;宫本智明;住谷孝治;小久保辉一 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;C09D183/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 左嘉勋;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种光半导体元件的制造方法，其特征在于，是含有基板和形成于该基板上的半导体层的光半导体元件的制造方法，该方法包含以下工序：向在基板上形成的半导体层的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层的保护层形成工序；从所述保护层的上方照射激光，从而形成比所述保护层和半导体层的厚度之和深的1个以上分离沟槽的分离沟槽形成工序；以及除去在形成所述分离沟槽时生成的附着物的附着物除去工序，所述保护层形成用组合物含有硅氧烷系聚合物以及有机溶剂。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||