发明名称 铟锡氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法
摘要 一种铟锡氧化物薄膜的回收方法。首先,提供一待回收物,此待回收物具有一铟锡氧化物薄膜,接着,使一碱液与铟锡氧化物薄膜接触,以使铟锡氧化物薄膜自待回收物剥离并混合于碱液中,其中碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠。之后,收集剥离的铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物,并自铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。本发明另提供一种基板的回收方法。本发明采用碱液与铟锡氧化物薄膜接触,使铟锡氧化物薄膜自待回收物上剥离而混合于碱液中,以达到铟锡氧化物薄膜或基板回收的目的。
申请公布号 CN102031375A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN201010513266.8 申请日期 2010.10.12
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 郑钧文;陈豊涵;赖英杰
分类号 C22B7/00(2006.01)I;C22B58/00(2006.01)I 主分类号 C22B7/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;鲍俊萍
主权项 一种铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,包括:提供一待回收物,该待回收物具有一铟锡氧化物薄膜;使一碱液与该铟锡氧化物薄膜接触,以使该铟锡氧化物薄膜自该待回收物剥离并混合于该碱液中,其中该碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠;以及收集剥离的该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物,并自该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。
地址 中国台湾新竹市