硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法

摘要

硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，提供了一种补偿图形的拓扑结构，由此拓扑结构可以产生出多种多样的直角形式凸角补偿图形，对于硅(100)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由两条<110>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。硅的各向异性腐蚀技术是指在硅的腐蚀过程中，硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率，采用硅各向异性腐蚀技术能够制造许多种微机电系统(MEMS)结构。本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。同时，因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径，非常适合应用到计算机辅助设计系统中。

主权项

一种硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，其特征是，对于硅(100)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由两条<110>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形；直角补偿图形拓扑结构是由硅(100)衬底表面存在的4个不同方向<310>族晶向的8条直线交织构成的网格，每一个方向<310>族晶向直线为2条，以被补偿直角顶点对称，直角补偿图形拓扑结构共由8条直线组成；每条<310>族晶向直线到被补偿直角顶点的距离d由腐蚀深度和具体工艺决定，每个被补偿直角由<110>族晶向的直线构成；具体直角补偿图形，采用下述的两个方法生成：a.补偿图形是由直角的两条直边和部分或全部<310>族晶向的直线所围成的多边形，要求该多边形的外轮廓不能包含由两条不同方向的<310>族晶向直线所形成的凹角，也不能包含由直角边与<310>族晶向直线所形成的锐角；或b.补偿图形是由<110>族晶向直线所围成的多边形，除被补偿直角的边与其他表示<110>晶向的直线所形成凸角外，要求该多边形的所有凸角顶点都落在<310>族晶向直线上，不允许任何<310>族晶向的直线和补偿图形相交两次或两次以上。