| 发明名称 | 三维半导体存储器器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种三维半导体存储器器件及其制造方法。制造半导体存储器器件的方法包括：在衬底上，交替并重复地堆叠牺牲层和绝缘层；形成穿过所述牺牲层和所述绝缘层的有源图案；对所述绝缘层和所述牺牲层连续构图，以形成沟槽；去除所述沟槽中暴露的牺牲层以形成凹进区，暴露所述有源图案的侧壁；在所述衬底上形成信息储存层；在所述信息储存层上形成栅传导层，使得所述栅传导层填充所述凹进区并且限定所述沟槽中的空区，所述空区由所述栅传导层环绕；以及对所述栅传导层执行各向同性蚀刻工艺，以在所述凹进区中形成栅电极，使得所述栅电极彼此分开。 | ||
| 申请公布号 | CN102034760A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010505766.7 | 申请日期 | 2010.09.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金镇瑚;孙丙根;金汉洙;李源俊;张大铉 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李佳;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在衬底上，交替并重复地堆叠牺牲层和绝缘层；在所述衬底上形成有源图案，使得所述有源图案穿过所述牺牲层和所述绝缘层；对所述绝缘层和所述牺牲层连续构图，以形成沟槽；去除所述沟槽中暴露的牺牲层以形成凹进区，使得所述凹进区暴露所述有源图案的侧壁；在所述衬底上形成信息储存层；在所述信息储存层上形成栅传导层，使得所述栅传导层填充所述凹进区并且限定所述沟槽中的空区，所述空区由所述栅传导层环绕；以及针对所述栅传导层执行各向同性蚀刻工艺，以在所述凹进区中形成栅电极，使得所述栅电极彼此分离。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||