| 发明名称 | 铝刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了铝刻蚀方法，包括：在铝层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光，显影并刻蚀所述光刻胶层，使其形成开口为T型的光刻胶图案；以所述开口为T型的光刻胶图案为掩膜，对铝进行刻蚀。本发明增大了显影后的光刻胶层的剖面面积，从而增加了铝刻蚀过程中生成的聚合物，降低了腐蚀生成物对铝的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN102031524A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910196425.3 | 申请日期 | 2009.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;符雅丽;孙武 |
| 分类号 | C23F1/02(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种铝刻蚀方法，该方法包括：在铝层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影并刻蚀所述光刻胶层，使其形成开口为T型的光刻胶图案；以所述开口为T型的光刻胶图案为掩膜，对铝进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||