| 发明名称 | 具有环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件和形成方法。其中环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管非易失性存储器结构包括：具有第一传导类型的绝缘体上硅衬底，以及从该绝缘体的上表面突出的鳍式有源区。该结构还包括形成在该鳍式有源区上的隧道氧化物层，以及置于该隧道氧化物层和该绝缘体的上表面上的第一栅电极。此外，该结构包括形成在第一栅电极上的氧化物/氮化物/氧化物(ONO)复合层，以及形成在该ONO复合层上并被图案化以限定该ONO复合层的预定区域的第二栅电极。该结构还包括形成在该第二栅电极的侧壁上的电介质间隔物，以及鳍式有源区中形成在第二栅电极的两侧的源/漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN102034831A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910057968.7 | 申请日期 | 2009.09.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 肖德元;蒋莉;陈国庆;李若加 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种具有环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件，所述器件包括：具有第一传导类型的绝缘体上硅(SOI)衬底，所述衬底的上表面具有突出的鳍式有源区；形成在所述鳍式有源区上的隧道氧化物层；置于所述隧道氧化物层和所述衬底表面上的第一栅电极；形成在所述第一栅电极表面上的电介质复合层；形成在所述电介质复合层上并被图案化以限定环绕堆叠栅区的第二栅电极；形成在所述堆叠栅电极侧壁上的电介质间隔物；以及形成在鳍式有源区中第二栅电极的两侧的抬高的源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||