发明名称 整体式铝合金靶及其制造方法
摘要 本发明提供铝或铝合金溅射靶及其制造方法。对纯的铝或铝合金进行机械加工以制造圆形坯料,然后使所述坯料进行重结晶退火以获得所需的晶粒尺寸和晶体织构。在所述退火之后,向所述坯料提供10~50%的额外应变以提高机械强度。此外,在所述靶的凸缘区中的应变大于其它靶区域中的应变,其中,所述凸缘区中的应变以约20~60%应变的比率施加。然后,对所述坯料进行精加工以形成具有所需的晶体织构和足够的机械强度的溅射靶。
申请公布号 CN102037153A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN201080001648.0 申请日期 2010.01.06
申请人 东曹SMD有限公司 发明人 苗卫方;戴维·B·斯马瑟斯;罗伯特·S·贝利
分类号 C23C14/34(2006.01)I;B21D19/00(2006.01)I;B21J5/00(2006.01)I;C22F1/04(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 宋莉
主权项 制造整体式Al或Al合金靶的方法,包括如下步骤:a.对Al工件进行机械加工以制造坯料;b.对所述坯料进行退火,以使该坯料重结晶并获得所需的晶粒尺寸和晶体织构;c.在退火之后产生10~50%的额外应变以提高机械强度;d.进一步地,在凸缘区中产生20~60%的应变;和e.对所述坯料进行精加工,以形成具有所需的晶体织构和足够的机械强度的溅射靶。
地址 美国俄亥俄州