发明名称 带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法
摘要 一种带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法,在RRAM于0值和1值之间具有足够的窗口的前提下,通过控制SET或者RESET过程中流过阻变元件电流值处于两者之间从而定义一第三状态,再经过对应的读出和编码方式,将存储密度提高至1.5bit/阻变元件,满足了实际存储密度的需求。
申请公布号 CN102034535A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN201010598114.2 申请日期 2010.12.15
申请人 清华大学 发明人 贾泽;徐建龙;王林凯;任天令
分类号 G11C11/56(2006.01)I;G11C11/4193(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 贾玉健
主权项 一种带有操控电路的三值型阻变存储单元,包括三值型阻变存储单元,其特征在于:所述的三值型阻变存储单元的输入端组和输出端组分别与中间状态写入电路的输出端组和读出电路的输入端组对应连接。
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