集成电路结构

摘要

本发明提供一种包括n型鳍式场效晶体管与p型鳍式场效晶体管的集成电路结构。n型鳍式场效晶体管包括：第一锗鳍(first germanium fin)位于一基板之上；一第一栅极介电层，位于第一锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第一栅极电极，位于第一栅极介电层之上。p型鳍式场效晶体管包括：一第二锗鳍，位于基板之上；一第二栅极介电层，位于第二锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第二栅极电极，位于第二栅极介电层之上。第一栅极电极与第二栅极电极由相同材料所组成，此材料具有一功函数接近锗的本征能级(intrinsic energy level)。本发明可同时达到n型FinFETs与p型FinFETs的功函数最佳化。

主权项

一种集成电路结构，包括：一基板；一n型鳍式场效晶体管，其中该n型鳍式场效晶体管包括：一第一锗鳍，位于该基板之上；一第一栅极介电层，位于该第一锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第一栅极电极，位于该第一栅极介电层之上；以及一p型鳍式场效晶体管，其中该p型鳍式场效晶体管包括：一第二锗鳍，位于该基板之上；一第二栅极介电层，位于该第二锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第二栅极电极，位于该第二栅极介电层之上，其中该第一栅极电极与第二栅极电极由相同材料所组成，此材料具有一功函数接近锗的本征能级。