| 摘要 |
1. Способ изготовления пучкового перехода, в котором на полупроводниковой подложке выполняют N>1 отдельных однотипных переходов, объединяют их в параллельную цепь посредством токовых электродов, характеризующийся тем, что объем каждого однотипного перехода, выбирают меньше объема, содержащего наиболее опасный характерный доминирующий дефект в полупроводниковой базе. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения N≥Shck, где S - рабочая площадь поверхности полупроводниковой подложки, на которой формируются переходы, h - ширина перехода, с - объемная концентрация дефектов или примесей, k=2, 3,…, km а величина km=1/сνa, νa - атомный объем материала, 1/с - объем, приходящийся на один дефект. ! 3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами больше поперечного размера наиболее опасного характерного доминирующего типа дефекта в полупроводниковой базе. ! 4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами выбирают менее удвоенной диффузионной длины. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения составляет N≥(cV)2/3, где с - объемная концентрация дефектов, а V - объем полупроводниковой базы. ! 6. Способ по любому из пп.1, 2, 5, отличающийся тем, что толщину подложки выбирают менее 60 мкм. ! 7. Пучковый преобразователь электромагнитного излучения, содержащий по крайней мере один пучковый переход, выполненный на полупроводниковой подложке в соответствии со способом по любому из пп.1-7. |
