| 发明名称 | 形成集成电路结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成集成电路的方法，包括：提供具有硅基板的晶片；在硅基板中形成数个浅沟槽隔离区(STI)；以及移除在硅基板浅沟槽隔离区的相对侧壁间的上面部分，以形成凹槽。在硅基板中各凹槽的长边朝相同方向延伸。而后Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在凹槽中外延成长。本发明可成长高品质的砷化镓层。 | ||
| 申请公布号 | CN102034689A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010512853.5 | 申请日期 | 2010.10.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯志欣;万幸仁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一硅基板；在该硅基板中形成数个浅沟槽隔离区；移除该硅基板中位于所述浅沟槽隔离区的相对侧壁间的上部分以形成数个凹槽，其中在该硅基板中所有所述凹槽的大抵所有长边以一相同方向延伸；以及在所述凹槽中外延成长一Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||