| 发明名称 | 存储器单元、存储器单元构造及存储器单元编程方法 | ||
| 摘要 | 一些实施例包含存储器单元，所述存储器单元包含存储器组件，所述存储器组件具有：第一导电材料；第二导电材料；及氧化物材料，其位于所述第一导电材料与所述第二导电材料之间。所述存储器组件的电阻可经由从所述第一导电材料穿过所述氧化物材料传导到所述第二导电材料的电流来配置。其它实施例包含包括金属及电介质材料的二极管以及与所述二极管串联连接的存储器组件。所述存储器组件包含磁阻材料且具有可经由经传导穿过所述二极管及所述磁阻材料的电流改变的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102037561A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200980118161.8 | 申请日期 | 2009.04.29 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 钱德拉·穆利 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种存储器单元，其包括：存储器组件，其包括：第一导电材料；第二导电材料；及氧化物材料，其位于所述第一导电材料与所述第二导电材料之间；且其中所述存储器组件的电阻可经由从所述第一导电材料穿过所述氧化物材料传导到所述第二导电材料的电流来配置。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||