发明名称 |
基于热损失工作方式的圆形硅薄膜微机电压力传感器 |
摘要 |
基于热损失工作方式的圆形硅薄膜微机电压力传感器是一种采用圆形的P型半导体硅薄层的微机电压力传感器结构,传感器的最下层是用于密闭空腔的玻璃基片,玻璃基片之上是N型硅衬底,靠近玻璃基片的N型硅衬底背面具有圆形空腔,在圆形空腔上是硅薄膜,圆形的P型掺杂薄层覆盖整个硅薄膜,在硅片的上表面覆盖了二氧化硅层,沿着圆形的P型掺杂薄层一周,均匀分布连接着16个即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极。其特征在于采用圆形的P型掺杂薄层作为传感层,以圆形的P型掺杂薄层的电阻率分布随压力变化而发生变化的原理进行压力传感。 |
申请公布号 |
CN201811815U |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN201020554752.X |
申请日期 |
2010.09.29 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
李伟华 |
分类号 |
G01L1/18(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种基于热损失工作方式的圆形硅薄膜微机电压力传感器,其特征在于该传感器的最下层是玻璃基片(107),在玻璃基片(107)上设有N型硅衬底(101),在N型硅衬底(101)中间与玻璃基片(107)之间设有圆形空腔(106),圆形P型掺杂薄层(102)覆盖整个位于圆形空腔(106)上方的N型硅衬底(101)的硅薄膜,作为传感层的微机电压力传感器结构,并且P型掺杂薄层(102)的厚度等于该硅薄膜厚度的一半,采用圆形的P型掺杂薄层(102)作为传感层;在N型硅衬底(101)和圆形P型掺杂薄层(102)的上表面覆盖了二氧化硅层(103),二氧化硅层上是即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极(105)。 |
地址 |
210096 江苏省南京市四牌楼2号 |