发明名称 基于双面铝基板的功率MOSFET并联电路及结构设计
摘要 本发明涉及一种电动汽车用功率驱动单元的结构设计,具体地说是一种基于双面铝基板的功率MOSFET并联电路的结构设计。本发明针对多个MOSFET并联使用的电路结构特点,设计出了一种新的工艺结构。这种结构是在传统铝基板上层压一双面环氧板,以较小的板面积提供较大的功率密度和良好的热传导性。本发明包括一种双面铝基板的三相并联电路的工艺结构设计,使各汇流区完成对应MOSFET的并联;一种MOSFET与铝基板的导热处理,采用阵列过孔焊盘,使每只功率MOSFET得到和铝基板之间更好的热传导;一种双面铝基板的5层结构;一种输入输出信号的结构设计,使各并联的MOSFET由同一个连接器输入控制信号;一种电源输入及驱动信号输出结构设计,设置了以压接方式连接的端口,采用圆形焊盘,同时采用螺钉紧固的连接方式;一种双面铝基板的电性能特点的结构设计,两块这样的结构并联使输出电流可达到600Arms@2min。
申请公布号 CN102029922A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN200910070624.X 申请日期 2009.09.27
申请人 天津市松正电动科技有限公司 发明人 高小二;杜承润;陈鹏
分类号 B60L11/18(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H03K19/094(2006.01)I 主分类号 B60L11/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种MOSFET并联电路,其特征在于:所用的铝基板为双面铝基板。
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