一种基于二氧化锡的低残压比压敏陶瓷材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于二氧化锡的低残压比压敏陶瓷材料的制备方法，属于半导体材料技术领域。本方法由SnO2复合掺杂Co2O3、Cr2O3、Nb2O5，通过陶瓷制备工艺，通过压敏陶瓷材料制备工艺，制得残压比为1.86，非线性系数为42.6，电压梯度为364.6V/mm的压敏陶瓷材料。本发明与现有技术相比，比现有的SnO2基压敏陶瓷残压比低，具有较高的非线性系数和适当的电压梯度；与商用ZnO基压敏陶瓷具有可比的残压比、非线性系数、电压梯度等电学特性，同时具有简单的微观结构和更好的稳定性。

主权项

一种基于二氧化锡的低残压比压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)制备压敏陶瓷材料时原料中各组分的摩尔百分比为：SnO2            99.39％～99.42％Co2O3           0.5％Cr2O3           0.02％～0.04％Nb2O5           0.06％～0.07％(2)按上述各组分按配方称重后混合，在混合物中加入适量无水乙醇，球磨8小时；(3)球磨后的浆料烘干12小时，过80目筛，得到的粉料在160MPa的压力下压成直径11.5mm、厚约1mm的圆片，得到陶瓷坯体；(4)将上述陶瓷坯体加热至900℃时，保温80分钟，继续加热至1300℃，烧结1小时。