用于薄膜光伏材料的硒化的大规模方法和熔炉系统

摘要

本发明提供一种用于制造铜铟二硒化物半导体薄膜的方法。根据一个实施方式，该方法包括提供多个基板，每个基板具有铜和铟复合结构。该方法还包括将多个基板转移至熔炉中，多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置，用数字N限定多个基板，其中，N大于5。该方法进一步包括：将包括硒化物物质和第一载气的气态物质引入熔炉中，并将热能转移入熔炉中，以将温度从第一温度升高至第二温度，第二温度的范围是从约350℃到约450℃，以至少在每个基板上开始由铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物薄膜。本发明的系统和方法与传统系统兼容，实施起来可节省成本。在各种实施方式中，温度控制方法可保持基板的结构完整性。

主权项

一种用于制造铜铟二硒化物半导体薄膜的方法，包括：提供多个基板，每个所述基板具有铜和铟复合结构；将所述多个基板转移至熔炉中，所述多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置，用数字N限定所述多个基板，其中，N大于5；将包括硒化物物质和第一载气的气态物质引入所述熔炉中，并将热能转移入所述熔炉中，以将温度从第一温度升高至第二温度，所述第二温度的范围是从约350℃到约450℃，以至少在每个所述基板上开始由所述铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物薄膜；将温度保持在大约所述第二温度一段时间；从所述熔炉去除至少残余的硒化物物质；将硫化物物质引入所述熔炉中；将温度保持在预定水平，以允许所述多个基板达到预定水平的温度均匀度；以及将温度升高至第三温度，所述第三温度的范围是从约500℃到525℃或更高，同时将所述多个基板保持在包括硫物质的环境中，以从所述铜铟二硒化物薄膜提取出一种或多种硒物质。