一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法

摘要

本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。

主权项

一种植入离子的方法，其包含以下步骤：(a)产生一体积的氢化硼BnHm的气相分子，其中n和m为整数，且n＞10及m≥0；(b)将定义电离氢化硼分子的氢化硼分子电离；及(c)通过一电场加速该等电离氢化硼分子到一靶中。