| 发明名称 | 抑制衬底涡流效应的微电子机械电感及其制备方法 | ||
| 摘要 | 抑制衬底涡流效应的微电子机械电感以GaAs(1)为衬底，在GaAs衬底(1)的上表面有一层AlGaAs薄膜(2)，在AlGaAs薄膜(2)的上表面有一层SiN介质层(3)，电感的上层线圈(5)悬空在SiN介质层(3)的上方，电感的上层线圈(5)的中心与位于AlGaAs薄膜(2)上的电感的下层引线(4)连接，电感的上层线圈(5)的外边缘连接第一共面波导信号线(61)；接地屏障(7)为插指形状连接在共面波导地线的内侧并位于电感器上层线圈(5)与AlGaAs薄膜(2)之间；第一共面波导信号线(61)、第二共面波导信号线(62)和第一共面波导地线(81)、第二共面波导地线(82)共同构成共面波导传输线。 | ||
| 申请公布号 | CN101060027B | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200710022360.1 | 申请日期 | 2007.05.15 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 廖小平;武锐 |
| 分类号 | H01F17/00(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I;H01P3/00(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | H01F17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 叶连生 |
| 主权项 | 一种抑制衬底涡流效应的微电子机械电感，其特征在于该电感以GaAs衬底(1)为衬底，在GaAs衬底(1)的上表面有一层AlGaAs薄膜(2)，在AlGaAs薄膜(2)的上表面有一层SiN介质层(3)，电感的上层线圈(5)悬空在SiN介质层(3)的上方，电感的上层线圈(5)的中心通过AlGaAs薄膜(2)上的电感下层引线(4)与第二共面波导信号线(62)连接，电感的上层线圈(5)的外边缘连接第一共面波导信号线(61)；接地屏障(7)为插指形状连接在第一共面波导地线(81)和第二共面波导地线(82)上的内侧，并位于电感上层线圈(5)与AlGaAs薄膜(2)之间；第一共面波导信号线(61)、第二共面波导信号线(62)和第一共面波导地线(81)、第二共面波导地线(82)共同构成共面波导传输线。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 | ||