| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法、灯 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体发光元件(1)，是具备基板(101)、在基板101上依次形成n型半导体层(104)、发光层(105)和p型半导体层(106)而构成的叠层半导体层(20)和在p型半导体层(106)的上面(106a)形成的透光性电极层(109)的半导体发光元件(1)，透光性电极层(109)含有掺杂元素，透光性电极层(109)中的掺杂元素的含有量，随着接近p型半导体层(106)与透光性电极层(109)的界面(109a)而逐渐减少。在透光性电极层(109)中形成有构成p型半导体层(106)的元素从界面(109a)向透光性电极层(109)内扩散而成的扩散区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102037576A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200980118007.0 | 申请日期 | 2009.05.20 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 篠原裕直;福永修大 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，是具备基板、在所述基板上依次形成n型半导体层、发光层和p型半导体层而构成的叠层半导体层和在所述p型半导体层的上面形成的透光性电极层的半导体发光元件，所述透光性电极层是含有Zn作为掺杂元素的层，所述透光性电极层中的所述Zn含有量，随着接近所述p型半导体层与所述透光性电极层的界面而逐渐地减少，在所述透光性电极层中形成有构成所述p型半导体层的元素从所述界面向所述透光性电极层内扩散而成的扩散区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||