| 发明名称 | 氮化镓衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供不易断裂且能提高制造成品率的氮化镓衬底。氮化镓衬底(10)由例如具有2英寸直径和1cm厚度的GaN单晶锭制作。主面(12)相对于GaN单晶的C面的倾斜角(θ)为20°以上、160°以下。氮化镓衬底(10)的断裂韧性为1.36MN/m3/2以上。根据这样的氮化镓衬底(10)，能够使裂纹不易产生，从而能够减少断裂。 | ||
| 申请公布号 | CN102031564A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010194965.0 | 申请日期 | 2010.05.31 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 八乡昭广 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 一种氮化镓衬底，其中，具有主面，所述主面相对于衬底结晶的C面的倾斜角为20°以上、160°以下，断裂韧性为1.36MN/m3/2以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||