隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构

摘要

各种集成电路器件，尤其是晶体管，形成在包括底隔离区域和从所述衬底的表面延伸到该底隔离区域的沟槽的隔离结构内部。该沟槽可由电介质材料填充或可以具有在中心部分的导电材料以及装衬该沟槽的壁的电介质材料。通过延伸该底隔离区域超出沟槽、采用保护环以及形成漂移区的用于终端所述隔离结构的各种技术被描述。

主权项

一种隔离的晶体管，形成在第一导电类型的半导体衬底中，所述衬底不包括外延层，所述隔离的晶体管包括：与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区域，埋设在所述衬底中；第一沟槽，从所述衬底的表面至少延伸到所述底隔离区域，所述沟槽包括电介质材料，且所述沟槽和所述底隔离区域一起形成所述衬底的隔离袋；源极区域，为所述第二导电类型，且在所述隔离袋中位于所述衬底的表面；漏极区域，为所述第二导电类型，在所述隔离袋中位于所述衬底的表面且与所述源极区域间隔开；栅极，在所述源极区域与所述漏极区域之间位于所述衬底的表面上方；沟道区，在所述栅极下方邻近所述衬底的表面；以及漂移区，为所述第二导电类型，在所述漏极区域与所述源极区域之间位于所述隔离袋中。