| 发明名称 | 一种外腔半导体激光器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种外腔半导体激光器，包括：锥形放大器、光栅、F-P腔、光学隔离器；该外腔半导体激光器的布设使得锥形放大器发出的激光经第一光学隔离器后，经过光栅衍射以及F-P腔透射后，经过第二光学隔离器后，从锥形放大器后端面入射返回，形成光学反馈。本发明不用腔内和腔外复杂庞大昂贵的反馈锁定电子系统，实现光栅外腔半导体激光器谱线宽度小于150kHz的窄线宽激光输出，激光器的频率更加稳定、容易调谐和控制。同时获得稳定大功率输出。 | ||
| 申请公布号 | CN102035136A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910235585.4 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 中国计量科学研究院 | 发明人 | 臧二军;赵阳;李烨;曹建平;方占军 |
| 分类号 | H01S5/14(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李弘 |
| 主权项 | 一种外腔半导体激光器，其特征在于，包括：锥形放大器、光栅、F‑P腔、光学隔离器；该外腔半导体激光器的布设使得从锥形放大器前端面发出的激光经第一光学隔离器后，经过光栅衍射以及F‑P腔透射，透射光经第二光学隔离器后，从锥形放大器后端面入射返回锥形放大器。 | ||
| 地址 | 100013 北京市北三环东路18号 | ||