用于执行暗场双偶极子光刻(DDL)的方法及设备

摘要

本发明提供一种用于执行暗场双偶极子光刻的方法。该方法包括以下步骤：识别具有包括水平和垂直特征的多个特征的目标图案；基于目标图案生成水平掩模，其中水平掩模包括低对比度垂直特征。水平掩模的生成包括以下步骤：优化在水平掩模中所包含的低对比度垂直特征的偏离；以及将散射条施加到水平掩模上。该方法还包括：基于目标图案生成垂直掩模，其中垂直掩模包含低对比度水平特征，垂直掩模的生成包括以下步骤：优化在垂直掩模中所包含的低对比度水平特征的偏离；以及将散射条施加到垂直掩模上。以及提供一种用于执行该方法的设备。

主权项

一种生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，所述方法包括步骤：识别具有多个特征的目标图案，所述多个特征包括水平特征和垂直特征，所述方法还包括将目标图案分解成水平掩模和垂直掩模的步骤，所述分解步骤包括目标图案中的特征的基于模型的优化，所述特征被配置用于经由通过水平掩模和垂直掩模两者的结合的成像过程进行成像，基于模型的优化配置用于在所述特征的结合的成像之后优化总模型标准。