| 发明名称 | 一种EEPROM存储器电路 | ||
| 摘要 | 一种EEPROM存储器电路，其特征在于它包括Cg端子控制电路、Ag端子控制电路和存储单元电路；其优越性：可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流；能够极大地降低电路的瞬态功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102034544A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010616038.3 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 | 发明人 | 张小兴;程兆贤;戴宇杰;吕英杰 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种EEPROM存储器电路，其特征在于它包括Cg端子控制电路、Ag端子控制电路和存储单元电路；其中所说的Cg端子控制电路的输入端和Ag端子控制电路的输入端分别接收采集到的数字信号，二者的输出端与存储单元电路的输入端连接。 | ||
| 地址 | 300457 天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼 | ||