在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法

摘要

本申请提供一种在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法。一种方法包括在块体衬底上形成第一半导体材料层和在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层。该方法进一步包括在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜，以及使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩膜，各向异性地蚀刻该第二半导体材料层和该第一半导体材料层。该各向异性蚀刻导致从该第二半导体材料形成鳍部和位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域。该方法进一步包括在位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域中形成隔离层。

主权项

一种在块体衬底上制作半导体器件的方法，该方法包括：在该块体衬底上形成第一半导体材料层；在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层；在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜；使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩膜而各向异性地蚀刻该第二半导体材料层和该第一半导体材料层，产生从该第二半导体材料形成鳍部和位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域；以及在位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域中形成隔离层。