| 发明名称 | 用于III-V族薄膜生长反应室的基片支撑座、其反应室及工艺处理方法 | ||
| 摘要 | 一种用于III-V族薄膜生长反应室的基片支撑座，包括用于放置若干基片的多个基片承载区域以及围绕所述基片承载区域设置的多个气体导引孔或导引槽，所述多个气体导引孔或导引槽与所述反应室的一排气装置流体连通，在薄膜生长工艺处理过程中，所述反应室的反应气体流经所述多个气体导引孔或导引槽，并由所述排气装置排出所述反应室，当反应气体流经所述气体导引孔或导引槽时，所述多个基片承载区域被所述反应气体相互分隔开。本发明进一步提供了使用所述基片支撑座的反应室及III-V族薄膜生长工艺处理方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102031498A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010595109.6 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 尹志尧 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种用于III‑V族薄膜生长反应室的基片支撑座，其特征在于：所述基片支撑座包括用于放置若干基片的一个或多个基片承载区域以及围绕所述基片承载区域设置的多个气体导引孔或导引槽，所述多个气体导引孔或导引槽与所述反应室的一排气装置流体连通，在薄膜生长工艺处理过程中，所述反应室的反应气体流经所述多个气体导引孔或导引槽，并由所述排气装置排出所述反应室。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||