| 发明名称 | 金属互连层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属互连层的形成方法，包括：在硅片表面沉积绝缘层；利用光刻工艺在硅片表面形成待刻蚀的图形；去除硅片边缘区域的光刻胶；在剩余光刻胶的保护下刻蚀沟槽，并在刻蚀完成后，去除剩余的光刻胶；采用电化学镀工艺在刻蚀出的沟槽内壁以及硅片表面形成铜电镀层；对硅片边缘区域进行清洗；采用化学机械研磨工艺将硅片研磨至绝缘层表面。应用本发明所述的方法，能够避免绝缘层发生剥落或产生颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN102034737A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910196548.7 | 申请日期 | 2009.09.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨光宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种形成金属互连层的方法，该方法包括：在硅片表面沉积绝缘层；利用光刻工艺在硅片表面形成待刻蚀的图形；去除硅片边缘区域的光刻胶；在剩余光刻胶的保护下刻蚀沟槽，并在刻蚀完成后，去除剩余的光刻胶；采用电化学镀工艺在刻蚀出的沟槽内壁以及硅片表面形成铜电镀层；对硅片边缘区域进行清洗；采用化学机械研磨工艺将硅片研磨至绝缘层表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||