用于高性能VLSI的最优保持管多米诺电路

摘要

本发明涉及一种用于高性能VLSI的最优保持管多米诺电路，即在多米诺电路中，应用最优保持管技术，通过调节保持管的衬底电压和电源电压，实现动态功耗、漏电流、噪声容限、电路延迟和抗工艺浮动系数等多个重要参数的均衡，从而使多米诺电路达到最优化的综合性能。其中保持管的电源电压和衬底电压分别为VddL和Vb，除保持管外其余PMOS管的电源电压和衬底电压都为Vdd，电路中所有NOMS管的衬底电压为地电压Gnd，电压的大小关系为：Gnd＜Vb＜VddL＜Vdd。

主权项

用于高性能VLSI的最优保持管多米诺电路，包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，预充管，保持管，时钟管，输出静态反相器和下拉网络(PDN)，其中保持管的电源电压和衬底电压分别为VddL和Vb，除保持管外其余PMOS管的电源电压和衬底电压都为Vdd，电路中所有NOMS管的衬底电压为地电压Gnd，电压的大小关系为：Gnd＜Vb＜VddL＜Vdd。