发明名称 | 具有复位功能的静态随机存储单元 | ||
摘要 | 一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,其包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管;一第二反相器,其包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。 | ||
申请公布号 | CN102034533A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
申请号 | CN201110004548.X | 申请日期 | 2011.01.11 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 吴利华;韩小炜;赵凯;于芳 |
分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,该第一反相器包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管,该第一驱动NMOS晶体管的栅极端与第一负载PMOS晶体管的栅极端相连,第一驱动NMOS晶体管的漏极端与第一负载PMOS晶体管的漏极端相连;一第二反相器,该第二反相器包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管,该第二驱动NMOS晶体管的栅极端与第二负载PMOS晶体管的栅极端相连,第二驱动NMOS晶体管的漏极端与第二负载PMOS晶体管的漏极端相连;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |