发明名称 具有复位功能的静态随机存储单元
摘要 一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,其包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管;一第二反相器,其包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。
申请公布号 CN102034533A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN201110004548.X 申请日期 2011.01.11
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 吴利华;韩小炜;赵凯;于芳
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,该第一反相器包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管,该第一驱动NMOS晶体管的栅极端与第一负载PMOS晶体管的栅极端相连,第一驱动NMOS晶体管的漏极端与第一负载PMOS晶体管的漏极端相连;一第二反相器,该第二反相器包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管,该第二驱动NMOS晶体管的栅极端与第二负载PMOS晶体管的栅极端相连,第二驱动NMOS晶体管的漏极端与第二负载PMOS晶体管的漏极端相连;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。
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