发明名称 发光元件
摘要 一种发光元件,包括:半导体衬底;发光部,其具有第一传导类型的第一包覆层、具有传导类型不同于第一包覆层的第二传导类型的第二包覆层以及夹在第一包覆层和第二包覆层之间的有源层;反射部,其用于反射从有源层发出的光,所述反射部设置在半导体衬底和发光部之间并且具有1.7μm至8.0μm的厚度;电流扩散层,其设置在发光部的与反射部相对的一侧上,并且在其表面上具有凹凸部,其中形成反射部以具有至少三个成对的层,所述成对的层是由第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层形成的。
申请公布号 CN102034911A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN201010225068.1 申请日期 2010.07.05
申请人 日立电线株式会社 发明人 今野泰一郎
分类号 H01L33/10(2010.01)I 主分类号 H01L33/10(2010.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静
主权项 一种发光元件,包括:半导体衬底;发光部,具有第一传导类型的第一包覆层、传导类型不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层以及夹在第一包覆层和第二包覆层之间的有源层;反射部,用于反射从有源层发出的光,所述反射部设置在半导体衬底和发光部之间并且具有1.7μm至8.0μm的厚度;以及电流扩散层,设置在发光部的与反射部相对的一侧上,并且在电流扩散层表面上具有凹凸部,其中形成反射部以具有至少三个成对的层,所述成对的层是由第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层形成的,当从有源层发出的光的峰值波长是λP、第一半导体层的折射率是nA、第二半导体层的折射率是nB、第一包覆层的折射率是nIn并且第二半导体层上光的入射角是θ时,第一半导体层具有由公式(1)限定的厚度TA,第二半导体层具有由公式(2)限定的厚度TB,和当公式(1)和(2)中光的入射角θ的值对于每个成对的层彼此不同时,反射部的多对成对的层相应地具有彼此不同的厚度,并且至少一个成对的层包括由不小于50度的光的入射角θ限定的第一半导体层和第二半导体层, <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>A</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>P</mi> </msub> <mrow> <mn>4</mn> <msub> <mi>n</mi> <mi>A</mi> </msub> <msqrt> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>n</mi> <mi>In</mi> </msub> <mi>sin</mi> <mi>&theta;</mi> </mrow> <msub> <mi>n</mi> <mi>A</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> </msqrt> </mrow> </mfrac> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>B</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>P</mi> </msub> <mrow> <mn>4</mn> <msub> <mi>n</mi> <mi>B</mi> </msub> <msqrt> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>n</mi> <mi>In</mi> </msub> <mi>sin</mi> <mi>&theta;</mi> </mrow> <msub> <mi>n</mi> <mi>B</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> </msqrt> </mrow> </mfrac> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mo>.</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>2</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mo>.</mo> </mrow>
地址 日本东京都