发明名称 | 低介电常数膜的改性剂及其生产方法 | ||
摘要 | 公开一种改性剂,其用于降低用于半导体器件的低介电常数膜的相对介电常数。具体地,公开一种用于低介电常数膜的改性剂,其特征在于,其包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分:R3-nHnSiN3 (1)其中R表示C1-C4烷基;n表示0至3的整数。 | ||
申请公布号 | CN101606235B | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
申请号 | CN200780050964.5 | 申请日期 | 2007.07.11 |
申请人 | 中央硝子株式会社 | 发明人 | 小川毅;大桥满也 |
分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;刘冬梅 |
主权项 | 包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分的改性剂用于降低用于半导体器件的SiOC低介电常数膜的相对介电常数的用途,R3‑nHnSiN3 (1)其中R是C1‑C4烷基,n是0‑3的整数。 | ||
地址 | 日本山口县 |