| 发明名称 | 硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅-锗HBT，包括T形发射极、内基区和外基区，所述T形发射极的上表面与内基区上表面的垂直距离的最大值为a，最小值为b，a与b的差值为c，c小于或等于b的5％，或者c小于或等于500；所述外基区包括硅锗合金及其上方的多晶硅共两层；所述内基区为硅锗合金一层。本发明还公开了上述硅-锗HBT的制造方法。本发明硅-锗HBT及其制造方法，T形发射极具有非常平整的上表面；发射极可以采用多晶硅或高k金属材料，并且与CMOS的金属栅工艺相兼容；降低了外基区杂质向衬底的扩散，从而降低了寄生电容，有利于提高器件的整体工作频率。 | ||
| 申请公布号 | CN102034855A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910057979.5 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 1.一种硅-锗异质结双极晶体管，包括T形发射极、内基区和外基区，其特征是，所述T形发射极的上表面与内基区上表面的垂直距离的最大值为a，最小值为b，a与b的差值为c，c小于或等于b的5％，或者c小于或等于500<img file="F2009100579795C0000011.GIF" wi="30" he="52" />；所述外基区包括硅锗合金及其上方的多晶硅共两层；所述内基区为硅锗合金一层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||