基于氮化物的半导体发光二极管

摘要

本发明公开了一种基于氮化物的半导体LED，包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在透明电极上，该p电极焊盘与p型氮化物半导体层的外缘线隔开50至200μm；以及n电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上。

主权项

一种基于氮化物的半导体LED，包括：基板，所述基板形成为具有矩形形状，所述矩形的长度与宽度之比等于或大于1.5∶1；n型氮化物半导体层，形成在所述基板上，并且由具有InXAlYGa1‑X‑YN(0≤X，0≤Y，且X+Y≤1)组成式的n型半导体材料构成；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上，所述有源层由具有InXAlYGa1‑X‑YN(0≤X，0≤Y，且X+Y≤1)组成式的半导体材料构成，并且所述p型氮化物半导体层由具有InXAlYGa1‑X‑YN(0≤X，0≤Y，且X+Y≤1)组成式的p型半导体材料构成；透明电极，形成在所述p型氮化物半导体层上，以便所述透明电极与所述p型氮化物半导体层的外缘线隔开预定距离；p电极焊盘，形成在所述透明电极上，以便所述p电极焊盘与由具有InXAlYGa1‑X‑YN(0≤X，0≤Y，且X+Y≤1)组成式的p型半导体材料构成的所述p型氮化物半导体层的作为台面线的外缘线隔开50至200μm的距离；以及n电极焊盘，形成在所述n型氮化物半导体层上。