兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法，该方法包含在硅基底上方的绝缘层内形成半导体元件及微机电结构，微机电结构包含彼此独立的微结构与兼容连接件，兼容连接件电性连接半导体元件与微机电结构。接着，由前述绝缘层朝硅基底进行第一次蚀刻产生保留空间，再由前述硅基底相对方向的第二次蚀刻产生切割空间，然后利用硅基底第三次蚀刻产生与保留空间、切割空间相通的悬浮空间。此时，利用绝缘层内的兼容连接件达成微机电结构与半导体元件的电性连接，避免微机电结构不当侵蚀及曝露。

主权项

一种兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，其特征在于，该制造方法包含：在一硅基底表面形成内具一微结构、一兼容连接件与一半导体元件的一绝缘层，且该兼容连接件电性连接在该半导体元件与该微结构之间；蚀刻该绝缘层以形成一蚀刻空间，且该蚀刻空间到达该硅基底的表面；应用选择比沿着该蚀刻空间蚀刻该硅基底，以形成具一致深度的一保留空间；应用选择比由该硅基底底面进行蚀刻，以形成具一致深度的多个切割空间；以及应用选择比由该硅基底底面与该些切割空间处进行蚀刻，以在该硅基底底面形成一悬浮空间，使该微结构悬浮，并使该些切割空间内的硅基底继续被蚀刻出一致的深度，而到达绝缘层底面，以使该悬浮空间、该保留空间与该些切割空间相通，且该微结构与该半导体元件下方的该硅基底被该些切割空间分隔而绝缘。