一种晶体的制备方法及其用途

摘要

本发明涉及激光及光学领域，尤其涉及光学晶体。本发明利用提拉法生长晶体在提拉方向上晶体折射率呈层状不均匀分布的特点，采取沿提拉方向加工层状结构的晶体，使通光方向垂直或接近垂直提拉方向，利用该类型晶体折射率分布不均匀的特点制作退偏器或位相片；采取沿提拉方向加工层状结构的各向同性晶体，使通光方向垂直或接近垂直提拉方向，利用单块或者多块该类型晶体的级联制作位相混乱的位相片。本发明提出一种晶体的制备方法及利用该晶体实现光学退偏器或光学位相片的应用，来取代已有技术的光学退偏器或光学位相片，克服了已有技术中存在的各种不足。

主权项

一种晶体的制备方法，其特征在于：通过提拉法生长的晶体在生长过程中，控制提拉速度的变化或改变晶体中掺杂离子浓度，获得不同层的晶体晶格参数会有所改变的晶体。