发明名称 |
FFS型TFT-LCD阵列基板的像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板的像素结构,其包括狭缝电极,所述狭缝电极包括至少一个狭缝单元,所述狭缝单元包括多个同向设置的狭缝及相邻的两个所述狭缝之间的电极部,所述电极部的宽度和与其相邻的所述狭缝的宽度之和,从狭缝电极一侧至另一侧逐渐递增。本发明TFT-LCD阵列基板的像素结构,通过设计W+L递增或递减的狭缝电极,减小了不同角度入射的光的平均折射率的变化,从不同视角看液晶屏幕时不会出现明显的差异,在视觉上提高了灰度,提高了对比度,提高了产品的可信赖性。 |
申请公布号 |
CN102033369A |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN200910093192.4 |
申请日期 |
2009.09.25 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
朴韩埈 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种FFS型TFT‑LCD阵列基板的像素结构,其包括狭缝电极,所述狭缝电极包括至少一个狭缝单元,所述狭缝单元包括多个同向设置的狭缝及相邻的两个所述狭缝之间的电极部,其特征在于,所述电极部的宽度和与其相邻的所述狭缝的宽度之和,从狭缝电极一侧至另一侧逐渐递增。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |