| 发明名称 | 深紫外光刻胶用于湿法腐蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深紫外光刻胶用于湿法腐蚀的方法，包括如下步骤：第1步，在已涂有深紫外光刻胶的硅片上进行深紫外光光刻；第2步，对硅片上的深紫外光刻胶进行任意杂质的离子注入；第3步，以硅片上的经过离子注入后的深紫外光刻胶作为掩蔽层进行湿法腐蚀；或者，所述方法的第1步和第2步互换顺序。本发明通过对深紫外光刻胶进行任意杂质的离子注入，可以明显提高深紫外光刻胶的粘附性，使深紫外光刻胶不易被湿法腐蚀药液穿透和腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN102034691A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910057944.1 | 申请日期 | 2009.09.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷;吴鹏 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 陈履忠 |
| 主权项 | 一种深紫外光刻胶用于湿法腐蚀的方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在已涂有深紫外光刻胶的硅片上进行深紫外光光刻；第2步，对硅片上的深紫外光刻胶进行任意杂质的离子注入；第3步，以硅片上的经过离子注入后的深紫外光刻胶作为掩蔽层进行湿法腐蚀；或者，所述方法的第1步和第2步互换顺序。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||