发明名称 |
具有失能电路的存储器及使存储器失能的方法 |
摘要 |
本发明公开一种具有失能电路的存储器包含一存储器阵列以及一失能电路。该存储器阵列包含一数据输出端以及一输出致能端。该失能电路耦接于该数据输出端与该输出致能端。该失能电路包含一熔丝以及一输出端,当该熔丝未被烧断时,该失能电路根据该输出致能端以及该数据输出端的逻辑状态决定该输出端的逻辑状态,当该熔丝被烧断时,该失能电路使该输出端为一高阻抗状态。如此,外部电路便无法对存储器阵列进行读取或写入。本发明同时公开一种使存储器失能的方法。 |
申请公布号 |
CN102034830A |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN201010539237.9 |
申请日期 |
2010.11.03 |
申请人 |
钰创科技股份有限公司 |
发明人 |
王释兴;袁德铭 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种存储器,其特征在于,包含:一存储器阵列,包含一数据输出端以及一输出致能端;以及一失能电路,耦接于该数据输出端与该输出致能端,该失能电路包含一熔丝以及一输出端,当该熔丝未被烧断时,该失能电路根据该输出致能端以及该数据输出端的逻辑状态决定该输出端的逻辑状态,当该熔丝被烧断时,该失能电路使该输出端为一高阻抗状态。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |