| 发明名称 | 具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法，所述硅晶片在其整个体积内晶格空位是主要的点缺陷类型，该硅晶片具有宽度至少为该硅晶片半径的80％的基于其轴旋转对称的区域、密度为0至10cm-2的OSF种子以及在其内部的5×108cm-3至5×109cm-3的平均BMD密度，该BMD密度在该硅晶片的整个半径中在径向上最大改变10倍，而且该硅晶片至少在该硅晶片的正面上具有不含BMD的层，其特征在于，在该硅晶片的整个正面上第一BMD位于至少为5μm的深度，且该第一BMD位于平均至少8μm的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN101187059B | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200710153795.X | 申请日期 | 2007.09.25 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | T·米勒;M·韦伯;G·基辛格 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 硅晶片，在其整个体积内晶格空位是主要的点缺陷类型，该硅晶片具有宽度至少为该硅晶片半径的80％的基于其轴旋转对称的区域，该区域具有尺寸至少为30nm密度最大为6×103cm‑3的晶格空位的附聚物以及尺寸为10nm至30nm密度为1×105cm‑3至3×107cm‑3的晶格空位的附聚物，该硅晶片具有密度为0至10cm‑2的OSF种子以及在其内部的5×108cm‑3至5×109cm‑3的平均BMD密度，该BMD密度在该硅晶片的整个半径中在径向上最大改变10倍，而且该硅晶片至少在该硅晶片的正面上具有不含BMD的层，其特征在于，在该硅晶片的整个正面上第一BMD位于至少为5μm的深度，且该第一BMD位于平均至少8μm的深度。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||